半導体の製造前工程において、ウェハー不良の根本的な原因の特定は、時間とコストを要する極めて重要な課題です。
特に、ウェハー検査で特異なマップパターンが検出された場合、長く複雑な製造プロセスの中から、その発生源を突き止めるのは容易ではなく、対応が遅れれば大量の不良品発生や歩留まりの悪化を招くおそれがあります。

本セミナーでは、ビジュアルデータサイエンスツール「Spotfire」を活用したデモンストレーションを通じて、「ウェハー検査」と各工程における「欠陥検査」のマップパターンを比較し、相関関係を手がかりに、不良発生の起点となる工程を特定する分析事例をご紹介します。